三分糊塗 作品
第1013 星辰大海，腦機互聯
下午的會議，鄭振川就沒有再參加了。
但遠芯對半導體行業的討論仍然在繼續。
“過去十幾年，我們一直在和intel比工藝，截止去年，我們都已經走到了成熟的45nm節點上。”張汝金戴上了老花鏡，瞥了一眼手中的文件，臉上是不甚唏噓的感慨:“不得不說,intel還是很厲害的，我們每次有領先，他們總是能夠及時的追上來甚至還能反超。”
“摩爾定律就是這麼實現的。”蘇遠山笑著補充了一句。
“是啊，但今年我們可以提前一大步了。”張汝金笑呵呵地望向眾人，但主要的視線還是停在蘇遠山的臉上。
畢竟，這與會的多人裡，還是蘇遠山對半導體工藝理解得最深刻。
“最遲年中，我們就可以推出基於22nm的fi工藝,把晶圓的晶體管密度再上一個臺階。而且我們目前的de技術已經成熟，目前正在向sadp技術轉移，從技術的角度，是可以支撐我們的工藝在duv的條件下把製程繼續往下探，或者說，等效製程往下探。”
//de（doubleexposure，雙重曝光），sadp（self-aligneddoublepatterning自對準雙重成像）
“如果intel跟不上，那這將會是一次巨大的領先！”張汝金紅光滿臉，終於忍不住有些激動起來:“製程進入到22nm之後，fi將會是唯一的選擇，最起碼目前是。”
在場的眾人並不是每個人都對半導體工藝有理解,見到身邊的周小慧露出遲疑的神色，蘇遠山就輕輕咳了一聲，笑著替她解釋道:“目前的電腦芯片一直採用mosfet結構,嗯……準確的說,是npn結構……”
見周小慧還是有些不懂，蘇遠山便放棄瞭解釋,直接道:“反正就是,我們以前所說的製程就是指的mosfet結構中的溝道長度。溝道越短，電阻越小，性能越高，同時晶體管密度也就越大，所以才要不斷提升製程。”
“哦？然後呢？”
“然後就是如果還是沿用以前mosfet結構的話，當溝道長度越來越短，譬如22nm之後，源極和漏極之間也會越來越近，電場也越來越近。”蘇遠山說著伸出雙手靠近，然後把自己的筆記本放在手上:“我的兩隻手就是源極和漏極，電流從源極流入，漏極流出，併產生電場，當它們距離過近，就會干擾到上面的柵極，從而漏電——我們把這個效應稱為短溝道效應。”
但遠芯對半導體行業的討論仍然在繼續。
“過去十幾年，我們一直在和intel比工藝，截止去年，我們都已經走到了成熟的45nm節點上。”張汝金戴上了老花鏡，瞥了一眼手中的文件，臉上是不甚唏噓的感慨:“不得不說,intel還是很厲害的，我們每次有領先，他們總是能夠及時的追上來甚至還能反超。”
“摩爾定律就是這麼實現的。”蘇遠山笑著補充了一句。
“是啊，但今年我們可以提前一大步了。”張汝金笑呵呵地望向眾人，但主要的視線還是停在蘇遠山的臉上。
畢竟，這與會的多人裡，還是蘇遠山對半導體工藝理解得最深刻。
“最遲年中，我們就可以推出基於22nm的fi工藝,把晶圓的晶體管密度再上一個臺階。而且我們目前的de技術已經成熟，目前正在向sadp技術轉移，從技術的角度，是可以支撐我們的工藝在duv的條件下把製程繼續往下探，或者說，等效製程往下探。”
//de（doubleexposure，雙重曝光），sadp（self-aligneddoublepatterning自對準雙重成像）
“如果intel跟不上，那這將會是一次巨大的領先！”張汝金紅光滿臉，終於忍不住有些激動起來:“製程進入到22nm之後，fi將會是唯一的選擇，最起碼目前是。”
在場的眾人並不是每個人都對半導體工藝有理解,見到身邊的周小慧露出遲疑的神色，蘇遠山就輕輕咳了一聲，笑著替她解釋道:“目前的電腦芯片一直採用mosfet結構,嗯……準確的說,是npn結構……”
見周小慧還是有些不懂，蘇遠山便放棄瞭解釋,直接道:“反正就是,我們以前所說的製程就是指的mosfet結構中的溝道長度。溝道越短，電阻越小，性能越高，同時晶體管密度也就越大，所以才要不斷提升製程。”
“哦？然後呢？”
“然後就是如果還是沿用以前mosfet結構的話，當溝道長度越來越短，譬如22nm之後，源極和漏極之間也會越來越近，電場也越來越近。”蘇遠山說著伸出雙手靠近，然後把自己的筆記本放在手上:“我的兩隻手就是源極和漏極，電流從源極流入，漏極流出，併產生電場，當它們距離過近，就會干擾到上面的柵極，從而漏電——我們把這個效應稱為短溝道效應。”